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本课程起止时间为:2021-05-19到2021-09-06

第二章二极管及其应用 02二极管及其应用

1、 问题: PN结加正向电压时,空间电荷区将           。
选项:
A: 变窄
B:基本不变
C:变宽
D:无法确定
答案: 【 变窄

2、 问题: P型半导体是在纯净半导体中掺入____。
选项:
A:带负电的电子
B:带正电的离子
C:三价元素,如硼等
D:五价元素,如磷等
答案: 【三价元素,如硼等

3、 问题:当温度升高时,二极管的反向饱和电流将             。
选项:
A:增大
B:不变
C:减小
D:无法确定
答案: 【增大

4、 问题:由理想二极管组成的电路如下图所示,其A,B两端的电压Uab应为        。
选项:
A:-12V
B:-6V
C:+12V
D:+6V
答案: 【-6V

5、 问题:已知图中二极管的反向击穿电压为100V,在V=10V时,测得I=1μA 。 当V增加到20V时,I将____。
选项:
A:为2μA 左右
B:小于1μA
C:变化不大
D:远大于2μA
答案: 【变化不大

6、 问题:在如图所示的电路中,当V=3V时,测得I=1mA,UD=0.7V。当V调到6V,则I将为____。
选项:
A:1mA
B:大于1mA,但小于2mA
C:2mA
D:大于2mA
答案: 【大于2mA

7、 问题:当PN结外加正向电压时,扩散电流    漂移电流。
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:不变
答案: 【大于

8、 问题:稳压管的稳压区是其工作在          。
选项:
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:无法确定
答案: 【反向击穿

9、 问题:电路如图所示,ui=0.1sinωt(V),当直流电源电压V增大时,二极管VD的动态电阻rd将____。
选项:
A:增大
B:减小
C:保持不变
D:无法确定
答案: 【减小

10、 问题:硅二极管的正向电压从0.65V增大10%,则流过的正向电流增大____。
选项:
A:约10%
B:小于10%
C:大于10%
D:无法确定
答案: 【大于10%

11、 问题:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____。
选项:
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:无法确定
答案: 【杂质浓度

12、 问题:在杂质半导体中,少数载流子的浓度与____关系十分密切。
选项:
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:无法确定
答案: 【温度

13、 问题:随着温度的升高,在杂质半导体中,少数载流子的浓度____。
选项:
A:明显增大
B:明显减小
C:变化较小
D:无法确定
答案: 【明显增大

14、 问题:随着温度的升高,在杂质半导体中,多数载流子的浓度____。
选项:
A:明显增大
B:明显减小
C:变化较小
D:无法确定
答案: 【变化较小

15、 问题:设某二极管在正向电流ID=10mA时。其正向压降UD=0.65V。在ID保持不变的条件下,当二极管的结温升高20℃,UD约为____。
选项:
A: 0.4V
B:0.6V
C: 0.65V
D:0.7V
答案: 【0.6V

16、 问题:已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得I=1μA 。当R从10kΩ减小至5kΩ时,I将____。
选项:
A:为2μA 左右
B:为0.5μA 左右
C:变化不大
D:远大于2μA
答案: 【变化不大

17、 问题:已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得I=1μA 。保持V和R不变,温度下降10℃,I将____。
选项:
A:为2μA 左右
B:为0.5μA 左右
C:变化不大
D:远大于2μA
答案: 【为0.5μA 左右

18、 问题:设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是             。
选项:
A:ISeU
B:ISeU/UT
C: ISe(U/UT-1)
D:无法确定
答案: 【 ISe(U/UT-1)

19、 问题:稳压管的稳压区是其工作在          。
选项:
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:无法确定
答案: 【反向击穿

20、 问题:当PN结外加正向电压时,扩散电流    漂移电流。
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:不变
答案: 【大于

21、 问题:当PN结外加反向电压时,扩散电流    漂移电流。
选项:
A:大于
B:小于
C:等于
D:不变

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