第一章 单元测试

1、 问题:导体、绝缘体和半导体应根据物体导电能力的不同和可调控性来划分。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

2、 问题:影响半导体的导电能力的因素包括温度,光照,掺杂等因素。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

3、 问题:pn结具有（ ）。
选项：
A:高阻性
B:高电导性
C:单向导通性
D:双向导通性
答案: 【
单向导通性
】

4、 问题:PN结I-V 特性表达式为 ,其中在室温下等于（ ）。
选项：
A:0.26 V
B:0.026 V
C:0.26 mV
D:0.026 mV
答案: 【
0.026 V
】

5、 问题:二极管应用电路包括（ ）。
选项：
A:整流电路
B:限幅电路
C:电平选择电路
D:精密检波电路
答案: 【
整流电路
限幅电路
电平选择电路
精密检波电路
】

第二章 单元测试

1、 问题:MOSFET包括N沟道MOSFET和P沟道MOSFET。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

2、 问题:MOSFET单极放大电路有哪几种组态（ ）。
选项：
A:共漏极组态
B:共源电极组态
C:共栅极组态
D:共源共漏极组态
答案: 【
共漏极组态
共源电极组态
共栅极组态
】

3、 问题:单极共源极放大电路特点（ ）。
选项：
A:输入与输出反相
B:电压放大倍数大
C:输入电阻不大
D:输出电阻不小
答案: 【
输入与输出反相
电压放大倍数大
输入电阻不大
输出电阻不小
】

4、 问题:放大器级联方式有哪些（ ）。
选项：
A:磁耦合（变压器耦合）
B:阻容耦合
C:直接耦合
D:间接耦合
答案: 【
磁耦合（变压器耦合）
阻容耦合
直接耦合
】

5、 问题:JFET是一种电流控制型器件。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
错
】

第三章 单元测试

1、 问题:BJT是电流控制型器件。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【
对
】

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