第一章 单元测试

1、 问题:现代集成电路的生产可以使用各种工艺包括 硅工艺 和GaN GaAs SiGe等化合物工艺。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【


2、 问题:集成电路设计可以包含模拟集成电路设计、数字集成电路设计、数模混合集成电路设计等很多方面。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

第二章 单元测试

1、 问题:NMOS和PMOS器件的小信号模型一致。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

2、 问题:MOS管器件流控电压源。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

3、 问题:MOS管的小信号输出电阻是由 MOS 管的体效应产生的。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

4、 问题:MOS器件中,保持 VDS 不变,随着 VGS的增加, MOS 器件将从截止区到线性区最后到饱和区。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

5、 问题:在CMOS 模拟集成电路设计中,我们一般让MOS 管工作在( )区。
选项:
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 【
饱和区

6、 问题:MOS管一旦出现 () 现象,此时的 MOS 管将进入饱和区。( )
选项:
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 【
夹断

7、 问题:

(      ) 表征了MOS器件的灵敏度。

选项:
A:ro
B:gmb
C:gm
D:uncox
答案: 【
gm

8、 问题:模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是( )
选项:
A:增益
B:输出电阻
C:输出摆幅
D:输入电阻
答案: 【
输出摆幅

第三章 单元测试

1、 问题:共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗很高。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【


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